但后來證實(shí)這個(gè)性能比只是理論上的，實(shí)際測試結(jié)果是3D XPoint比NAND的速度快10倍，后者需要在新數(shù)據(jù)寫入之前擦除現(xiàn)有數(shù)據(jù)。

 

英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）日宣布，IM Flash B60晶圓廠已經(jīng)完成擴(kuò)建工程。 據(jù)悉，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將正式生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存，初期生產(chǎn)用于手機(jī)、SSD、平板的NAND。

 

IM Flash自2015年起開始生產(chǎn)3D XPoint。 這款芯片號(hào)稱是自1989年NAND快閃芯片推出以來第一個(gè)新內(nèi)存類別。 3D XPoint非揮發(fā)性內(nèi)存是英特爾Optane技術(shù)（包括Intel Optane固態(tài)硬盤900P系列，見圖）的基石。 英特爾表示，3D XPoint技術(shù)能在數(shù)奈秒內(nèi)將龐大的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成有用的信息。

 

嘉實(shí)XQ全球贏家報(bào)價(jià)系統(tǒng)顯示，今年迄今（截至11月13日收盤為止）費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股美光、英特爾分別上漲108.03%、26.14%。

 

barrons.com報(bào)導(dǎo)，巴克萊（Barclays）分析師Blayne CurTIs 10月12日將美光目標(biāo)價(jià)自40美元調(diào)高至60美元。 CurTIs指出，數(shù)據(jù)中心對NAND Flash芯片的強(qiáng)勁需求將導(dǎo)致這項(xiàng)產(chǎn)品到2018年上半年都處于供應(yīng)吃緊狀態(tài)。

 

美光科技2017會(huì)計(jì)年度第4季（截至2017年8月31日為止）營收年增91%（季增10%）至61.4億美元；非一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（Non-GAAP）每股稀釋盈余報(bào)2.02美元、 高于第3季的1.62美元且遠(yuǎn)優(yōu)于一年前的0.01美元虧損表現(xiàn)。

 

美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra 6月29日在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，在數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)市場整體趨勢的帶動(dòng)下、預(yù)估良性產(chǎn)業(yè)需求將可延續(xù)至2018年。

本文關(guān)鍵詞：3D XPoint

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