在嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備、智能終端、工業(yè)控制等場(chǎng)景中，偽SRAM（PSRAM）憑借SRAM兼容接口、無需外部刷新、低功耗、高集成度的核心優(yōu)勢(shì)，逐漸成為替代傳統(tǒng)SRAM與SDRAM的高性價(jià)比存儲(chǔ)方案。其中，英尚代理的國(guó)產(chǎn)EMI116LA16LM低功耗偽SRAM憑借穩(wěn)定的性能、精簡(jiǎn)的硬件適配設(shè)計(jì)，成為中小容量嵌入式存儲(chǔ)場(chǎng)景的優(yōu)選型號(hào)。
 

 

　　EMI116LA16LM是一款16Mb容量的國(guó)產(chǎn)偽SRAM存儲(chǔ)芯片，采用行業(yè)成熟的1T+1C存儲(chǔ)架構(gòu)與全CMOS工藝打造，完美融合了SDRAM的高存儲(chǔ)密度與傳統(tǒng)SRAM的簡(jiǎn)易適配優(yōu)勢(shì)。從硬件結(jié)構(gòu)來看，偽SRAM芯片內(nèi)部存儲(chǔ)顆粒架構(gòu)與常規(guī)SDRAM相近，保障了充足的存儲(chǔ)帶寬與容量規(guī)格；但外部接口完全兼容低功耗異步型SRAM，徹底摒棄了SDRAM復(fù)雜的外部控制器配置與高頻刷新機(jī)制。
 

 

　　這款偽SRAM搭載內(nèi)置自動(dòng)刷新機(jī)制，可自主完成數(shù)據(jù)刷新維護(hù)，無需開發(fā)者額外編寫刷新程序，大幅降低了嵌入式設(shè)備的主控資源消耗與開發(fā)難度。同時(shí)偽SRAM芯片支持無刷新工作模式，搭配超低功耗運(yùn)行技術(shù)，有效降低設(shè)備待機(jī)與運(yùn)行功耗，適配各類低功耗續(xù)航型設(shè)備。
 

 

　　EMI116LA16LM偽SRAM擁有標(biāo)準(zhǔn)化、高適配的硬件參數(shù)，可兼容絕大多數(shù)主流嵌入式硬件平臺(tái)，規(guī)格如下：

 

　?、俅鎯?chǔ)規(guī)格：偽SRAM存儲(chǔ)密度16Mb，存儲(chǔ)組織架構(gòu)為1M×16位，16位數(shù)據(jù)總線設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)傳輸效率更高，適配各類16位處理器設(shè)備

 

　?、诠ぷ麟妷海簶?biāo)準(zhǔn)2.7V~3.3V寬電壓工作范圍，適配常規(guī)嵌入式設(shè)備供電體系，供電穩(wěn)定性強(qiáng)

 

　　③響應(yīng)速度：提供60ns、70ns雙速度等級(jí)，可根據(jù)設(shè)備運(yùn)行需求靈活選型，滿足中高速數(shù)據(jù)讀寫場(chǎng)景

 

　?、芄に嚺c電氣特性：全CMOS制程，支持TTL電平兼容、三態(tài)輸出模式，便于設(shè)備總線共享與電路拓展，硬件適配性極強(qiáng)

 

　　⑤封裝設(shè)計(jì)：偽SRAM采用48-FBGA精密封裝，體積小巧，適配高密度、微型化PCB布局需求，適合緊湊型終端設(shè)備量產(chǎn)
 

 

　　EMI116LA16LM偽SRAM廣泛適配工業(yè)控制設(shè)備、智能穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端、車載小型控制系統(tǒng)、嵌入式工控板等場(chǎng)景，可為設(shè)備數(shù)據(jù)緩存、臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、程序運(yùn)行緩存提供穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)支撐。作為是一個(gè)可靠的電子元件與存儲(chǔ)技術(shù)合作伙伴。我們連接原廠資源，專注于存儲(chǔ)芯片、半導(dǎo)體產(chǎn)品、單片機(jī)、藍(lán)牙芯片及微動(dòng)開關(guān)的供應(yīng)與解決方案設(shè)計(jì)。憑借專業(yè)的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，可以為客戶提供產(chǎn)品選型與研發(fā)專業(yè)協(xié)助，如您有需要，歡迎隨時(shí)來電聯(lián)系。