JSC低功耗DDR SDRAM EMD28164PCH-60
2026-06-11 10:59:07
1、DDR SDRAM概述
DDR SDRAM屬于動態(tài)RAM，需要定時刷新，但容量大、成本低；而SRAM雖無需刷新、速度極快，但同容量下價格高出數(shù)倍。因此，在絕大多數(shù)需要大容量緩存且對功耗敏感的中速場景里，JSC低功耗DDR SDRAM就成了務實之選。JSC低功耗DDR SDRAM EMD28164PCH-60，由英尚微現(xiàn)貨直供，已應用于多個國產(chǎn)工業(yè)與消費類方案中。
2、JSC低功耗DDR SDRAM EMD28164PCH-60特點
傳統(tǒng)SDRAM僅在時鐘上升沿傳輸一次數(shù)據(jù)，而DDR SDRAM在上升沿和下降沿各傳一次，帶寬直接翻倍。以這款EMD28164PCH-60為例，它內(nèi)部I/O寄存器實際為16位，但對外表現(xiàn)為x16位寬——時鐘上升沿輸出8位、下降沿再輸出8位，實現(xiàn)無空閑的連續(xù)吞吐。同時，為支撐這種高速切換，芯片采用了SSTL_18接口標準（1.8V），信號完整性比早期SSTL_2更好。
3、JSC低功耗DDR SDRAM EMD28164PCH-60參數(shù)特性
這款JSC芯片屬于Low Power DDR SDRAM系列，存儲容量128Mbit，位寬為x16，內(nèi)部配置為4個Bank。工作電壓僅1.8V，相較早期DDR的2.5V標準，功耗下降明顯。DDR SDRAM封裝采用8x9mm的60-ball FPBGA，占用PCB空間很小。頻率達到166MHz，對應DDR傳輸速率約333Mbps/pin，屬于商業(yè)級溫度范圍（0℃至70℃），適合機頂盒、智能儀表、音頻處理器等場景。
除了基本參數(shù)，EMD28164PCH-60的4Bank結(jié)構(gòu)可有效減少頁沖突，提升隨機訪問效率。英尚微提供現(xiàn)貨直供，樣品和中小批量交期短，對研發(fā)調(diào)試和試產(chǎn)很友好。如果您的項目正在尋找替代或降本方案，這款DDR SDRAM芯片值得上板實測。
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