半導(dǎo)體存儲器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲信息,而半導(dǎo)體存儲器DRAM則是靠電容存儲，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數(shù)據(jù)了.
 
按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),當(dāng)關(guān)機或斷電時,其中的信息都會隨之丟失. DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲器.ROM 主要用于BIOS存儲器.按其制造工藝 可分為:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器.按其存儲原理可分為:靜態(tài)和動態(tài)兩種.
 
 
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù) 說具體點就是高速緩存或者說是二級緩存。SRAM靠寄存器來存儲信息,DRAM靠MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息,需要進行周期性的刷新操作.
 
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的.由于電容上的電荷會泄漏,需要定時給與補充,所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路.但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低,從而成本也低,
 
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM   ram

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