半導(dǎo)體存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)40多年來(lái)的發(fā)展，根據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)分析公司的數(shù)據(jù)，PCM將會(huì)迎來(lái)迅速的發(fā)展的大時(shí)機(jī)，并預(yù)計(jì)會(huì)實(shí)現(xiàn)約50億美元的銷(xiāo)售額在2023年。
 
PCM的市場(chǎng)份額被預(yù)估會(huì)從2018年的2.73億美元增長(zhǎng)到2023的61億美元，并將占83
%來(lái)自每年獨(dú)立的新興非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額，大概為86%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。
 
YOLE預(yù)計(jì)到2023年，ReRAM會(huì)上升到銷(xiāo)售額排名第二的位置，即使目前ReRAM并未大面積被使用的情況下。
 
新興的非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)受到來(lái)自獨(dú)立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場(chǎng)的沖擊。資料來(lái)源：Yole Developpement。
 
在SCM及基于PCM的3D XPoint存儲(chǔ)器的Intel和Micron的推動(dòng)，獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器日漸增長(zhǎng)。同時(shí)存儲(chǔ)器廠家海力士也同時(shí)在研究類似于英特爾和美光的方法。
 
根據(jù)YOLE的分析師Simone Bertolazzi的聲明中，可以得知即使圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在蓬勃發(fā)展，也不阻礙獨(dú)立存儲(chǔ)器將會(huì)主導(dǎo)市場(chǎng)，而獨(dú)立存儲(chǔ)器的主導(dǎo)是由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的。
 
DRAM在未來(lái)五年仍然會(huì)繼續(xù)不斷的擴(kuò)展，但發(fā)展速度應(yīng)該比之前的慢些，也由于3D集成技術(shù)的發(fā)展，NAND閃存的容量也將會(huì)不斷的增加。由于特性及市場(chǎng)的不同，新興的NVM不會(huì)取代獨(dú)立的DRAM跟NAND FLASH,應(yīng)該會(huì)在組合存儲(chǔ)器中對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充。
 
ReRAM有可能成為第一個(gè)與3D XPoint相競(jìng)爭(zhēng)的獨(dú)立技術(shù)，但是由于技術(shù)限制，ReRAM的發(fā)展還是比較緩慢的，目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持獨(dú)立的ReRAM的技術(shù)應(yīng)用的。
 
新興的非易失性存儲(chǔ)器因應(yīng)用而發(fā)展。
 
ReRAM有可能與SCM再次作為競(jìng)爭(zhēng)者在2020年之后，在高速性及高耐久性上，STT-MRAM也認(rèn)為很有應(yīng)用前景但限于制作工藝的復(fù)雜性未能大面積被應(yīng)用。
 
目前來(lái)看STT-MRAM正在為微控制器增添動(dòng)力相對(duì)于新興非易失性存儲(chǔ)器的嵌入式市場(chǎng)，所有主流的代工廠都參與了STT-MRAM的領(lǐng)域加速研發(fā)STT-MRAM。
 
與獨(dú)立市場(chǎng)相比，嵌入式新興NVM從2017市場(chǎng)份額來(lái)看只占了3%相對(duì)性市場(chǎng)規(guī)模還是比較小的，所有頂級(jí)代工廠都在準(zhǔn)備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品。
 
Yole預(yù)測(cè)，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場(chǎng)份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術(shù)。
本文關(guān)鍵詞：MRAM

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