PSRAM也叫偽靜態(tài)隨機存儲器，它對外呈現(xiàn)的是類SRAM的接口協(xié)議：只要給出地址、發(fā)起讀或?qū)懨?，就能直接完成?shù)據(jù)存取，完全不需要像DRAM那樣依賴內(nèi)存控制器進行周期性的刷新操作。這使得PSRAM在硬件連接和控制邏輯上都相當簡潔。
 

以英尚代理偉凌創(chuàng)芯EMI推出的EMI132LA16LM-70I為例，這款psram芯片采用2M x 16的組織架構(gòu)，總?cè)萘窟_到32Mb，工作電壓穩(wěn)定在2.7V~3.3V，讀寫速度為60~70ns，封裝形式為48-ball BGA，非常適合作為MCU的外擴內(nèi)存。它的內(nèi)部存儲單元卻采用了DRAM的架構(gòu)——也就是1T1C（一個晶體管加一個電容）構(gòu)成一個存儲單元，而傳統(tǒng)SRAM需要6個晶體管才能實現(xiàn)同樣的功能。正是這種“DRAM核心+SRAM接口”的混合設計，讓PSRAM偽靜態(tài)存儲器在繼承DRAM高密度、低成本優(yōu)勢的同時，又保留了SRAM使用方便的特點。
 

psram偽靜態(tài)存儲器EMI132LA16LM-70I優(yōu)勢

第一，高密度與低成本。由于采用了DRAM的單元結(jié)構(gòu)，同樣芯片面積下，PSRAM能夠?qū)崿F(xiàn)遠大于SRAM的存儲容量，而且單位容量的成本明顯低于同等規(guī)格的SRAM。
 

第二，接口簡單，易于集成。PSRAM的并行接口與SRAM幾乎完全兼容，不需要額外的DRAM控制器，對于習慣使用標準并口的MCU、DSP或SoC來說，幾乎可以像外掛SRAM一樣直接使用，大幅降低了硬件設計和軟件驅(qū)動的復雜度。
 

第三，待機功耗控制出色。PSRAM內(nèi)部集成了自刷新電路，當主處理器進入睡眠或低功耗模式時，PSRAM能夠自行維持數(shù)據(jù)不丟失，系統(tǒng)整體功耗得以顯著降低。這一特性在電池供電的便攜設備、物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點等場景中尤其重要。