為了突破傳統(tǒng)存儲的瓶頸，新型非易失性存儲技術(shù)正在崛起，包括MRAM（磁阻隨機存取存儲器）、ReRAM（阻變隨機存取存儲器）和PCM（相變存儲器）。這些技術(shù)憑借1T1R/1S1R結(jié)構(gòu)和原生持久化特性，正逐步重塑存儲層級，展現(xiàn)出以下優(yōu)勢：
 

制程同步性：以MRAM為代表的BEOL（后端工藝）技術(shù)可隨邏輯制程向5nm及以下持續(xù)演進，填補了嵌入式存儲的空白。這意味著新型存儲能夠與先進邏輯工藝同步發(fā)展，避免“存儲墻”問題的加劇。
 

性能跨越：新型存儲具備高速讀寫、無需預擦除等特點，顯著縮小了內(nèi)存與外存之間的性能鴻溝。例如，MRAM的讀寫速度接近SRAM，同時具備非易失性，能夠在斷電后保留數(shù)據(jù)。
 

形態(tài)多樣化：除了已量產(chǎn)的MRAM和ReRAM，行業(yè)正積極探索SOM（僅選擇器存儲）等“無晶體管”超高密度方案。這些創(chuàng)新不僅提升了存儲密度，還進一步降低了功耗和成本。

本文關(guān)鍵詞：MRAM

上一篇文章：動態(tài)隨機存儲器LPDDR2同步DRAM內(nèi)存解決方案

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