汽車工業(yè)正在采納一系列新型非易失性存儲器技術(shù)，包括MRAM、相變存儲器（PCRAM）和RRAM。這些先進的存儲器技術(shù)在汽車運行狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間的數(shù)據(jù)存儲和檢索方面帶來了顯著的提升。
 
    MRAM技術(shù)在汽車領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。得益于MRAM技術(shù)與標準CMOS技術(shù)的兼容性，它可以被嵌入到動力總成微處理器中（目前MRAM已嵌入到一些非汽車微處理器中）。然而，目前將MRAM集成到動力總成硅片中最經(jīng)濟有效的方法是采用芯片堆疊技術(shù)，原因如下：
 
    • 從動力總成硅片中移除存儲器陣列可以縮小其尺寸，進而增加每個晶圓的芯片數(shù)量，同時提升芯片產(chǎn)量。這兩方面的改進都有助于降低動力總成硅片的成本。
 
    • 芯片堆疊技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個可接受的質(zhì)量水平。因此，將已知良好芯片（KGD）的MRAM堆疊在已知良好的動力總成芯片上，提供了一種成本效益最高的解決方案。這種集成方式將成本最低的CMOS芯片與成本最低的MRAM芯片結(jié)合在一起。
 
    目前成熟、可用、性能強大的MRAM技術(shù)似乎是將MRAM技術(shù)融入汽車應(yīng)用中的最理想方式。我司英尚微電子代替提供NETSOL 、EVERSPIN MRAM存儲芯片，提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持和樣品測試。


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