功能概述
FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術相關支持。
 
與串行閃存和EEPROM不同，FM25V02A以總線速度執(zhí)行寫操作。不會產(chǎn)生寫延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即被寫入到存儲器陣列內(nèi)。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。鐵電存儲器與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。FM25V02A能夠支持10¹⁴次讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。
 
由于具有這些特性，因此FM25V02A適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。應用的范圍包括從數(shù)據(jù)采集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長寫時間會使數(shù)據(jù)丟失）。
 
作為硬件替代時，F(xiàn)M25V02A為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI總線，從而可以增強FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，通過該ID，主機可以確定制造商、產(chǎn)品容量和產(chǎn)品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級溫度范圍內(nèi)，該設備規(guī)范得到保證。
 
特性
■256Kbit鐵電性隨機存儲器（FRAM）被邏輯組織為32K×8
?高耐久性：100萬億（10¹⁴）次的讀/寫操作
?151年的數(shù)據(jù)保留時間
?NoDelay™寫操作
?高級高可靠性的鐵電工藝
■非?？斓拇型庠O接口（SPI）
?頻率高達40MHz
?串行閃存和EEPROM的硬件直接替代
?支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■精密的寫入保護方案
?使用寫保護（WP）引腳提供硬件保護
?使用寫禁用指令提供軟件保護
?可為1/4、1/2或整個陣列提供軟件模塊保護
■設備ID
?制造商ID和產(chǎn)品ID
■低功耗
?頻率為40MHz時，有效電流為2.5mA
?待機電流為150mA
?睡眠模式電流為8mA
■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V
■工業(yè)溫度范圍：–40℃~+85℃
■封裝
?8引腳小外型集成電路（SOIC）封裝
?8引腳扁平無引腳（DFN）封裝
■符合有害物質(zhì)限制（RoHS）

封裝引腳
 
FM25V02A是一種采用先進鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的，執(zhí)行類似于ram的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。


本文關鍵詞： 鐵電存儲器

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