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Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序，沒(méi)有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同，這些存儲(chǔ)器的讀/寫操作可以是隨機(jī)的，而且沒(méi)有寫入延遲。
采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝，并且都與閃存、串行EEPROM和FeRAM產(chǎn)品兼容。

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